GSE S200 高精度刻蚀机
GSE S200 High Precision Etcher
- 设备特点
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- 独特的射频源设计，专为低损伤工艺
- 兼容ALE工艺
- 高精度射频控制
- 获得大规模量产验证
- 相比传统设备，电性表现更佳
- 产品应用
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- 晶圆尺寸4/6/8寸
- 适用领域GaN功率器件、GaN射频器件
- 刻蚀速率（GaN）5-800nm/min
- GaN/AlGaN选择比>20
- 目标层loss量<1nm
