MARS iCE115 主要用于4/6英寸SiC外延工艺。采用水平热壁式技术路线，应用先进的控温、控压算法，独创的进气、混流结构，使得整个外延工艺过程中热场和气流场均匀稳定。工艺指标如厚度均匀性、掺杂浓度均匀性、缺陷密度等均达到了行业先进水平。
