Landscape A主要应用于硅晶圆器件的高剂量、低能量的离子注入掺杂工艺，面向成熟/先进存储和逻辑领域的互补金属氧化物半导体器件的掺杂(CMOS Device Doping)、加氢钝化(H Passivation)、超浅结掺杂(Ultra Shallow Junction Doping)等工艺应用需求，也可应用于传统离子注入设备难以实现的对3D结构的掺杂，为复杂3D结构的制造提供高效解决方案。