主要用于12英寸先进制程领域中氧化硅选择性刻蚀工艺。设备采用化学气相刻蚀技术，具有高刻蚀均匀性、高选择比、低损伤、工艺控制精度高等特点。主要由大平台传输系统、主工艺腔、退火腔、工艺控制系统等组成，系统稳定、高效、产能高。广泛应用逻辑、存储等先进制程领域
